ზონური სტრუქტურა
მჭიდრო კავშირის მოდელი (Tight-binding) — E(k) დისპერსია, აკრძალული ზონა (Band Gap), მასალების კლასიფიკაცია
პერიოდულ პოტენციალში ელექტრონის ტალღური ფუნქცია წარმოადგენს პლანური ტალღისა და პერიოდული ფუნქციის ნამრავლს:
ყველაზე მარტივი მოდელი — ელექტრონი "ხტება" მეზობელ ატომებს შორის t ენერგიით:
t > 0 — გადახტომის ინტეგრალი (eV). a — მესერის პარამეტრი. k — ტალღის ვექტორი პირველ ბრილუენის ზონაში.
Δ პარამეტრი განსაზღვრავს ატომებს შორის პოტენციალის სხვაობას. Band Gap = 2|Δ|:
| ტიპი | Eg (eV) | მაგალითი |
|---|---|---|
| მეტალი | 0 | Cu, Al, Au |
| ნახევარგამტარი | 0.1–3.0 | Si, Ge, GaAs |
| იზოლატორი | > 3.0 | SiO₂, diamond |
1D მესერისთვის k-სივრცე შემოიფარგლება პირველი ბრილუენის ზონით:
მეტალი: ვალენტური და გამტარობის ზონები გადაიფარება — ელექტრონები თავისუფლად მოძრაობენ. ნახევარგამტარი: Band Gap 0.1–3 eV — ტემპერატურის ან განათების გავლენით გამტარობა იცვლება. იზოლატორი: Band Gap > 3 eV — ელექტრონები ვერ გადადიან გამტარობის ზონაში.
Q1. რას ნიშნავს Band Gap?
Q2. Si-ს Band Gap დაახლოებით რის ტოლია?
Q3. Tight-binding მოდელში t პარამეტრის გაზრდა რას იწვევს?